Справочник MOSFET. SWHA065R03VLT

 

SWHA065R03VLT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWHA065R03VLT
   Маркировка: SW065R03VLT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для SWHA065R03VLT

 

 

SWHA065R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  samwin
 swha065r03vlt.pdf

SWHA065R03VLT SWHA065R03VLT

SW065R03VLTN-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFETFeaturesDFN5*6 BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.7m)@VGS=4.5V18 ID : 58A(Typ 6.4m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 9.7m@VGS=4.5V6 Low Gate Charge (Typ 34nC)35 Improved dv/dt Capability 46.4m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,DLi Battery Protect

 8.1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf

SWHA065R03VLT SWHA065R03VLT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V

 8.2. Size:747K  samwin
 swha069r10vs.pdf

SWHA065R03VLT SWHA065R03VLT

SW069R10VSN-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFETFeaturesDFN5*6BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9m)@VGS=4.5V18ID : 60ALow RDS(ON) (Typ 7m)@VGS=10V 2 763 RDS(ON) : 9m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC)54 Improved dv/dt Capability 7m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application: Li Battery Protect Board,DSynchronous

 8.3. Size:916K  samwin
 swi069r06vt swha069r06vt.pdf

SWHA065R03VLT SWHA065R03VLT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V (Typ 6.0m)@VGS=10V RDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application

 8.4. Size:910K  samwin
 swha069r06vt.pdf

SWHA065R03VLT SWHA065R03VLT

SW069R06VTN-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFETFeaturesDFN5*6BVDSS : 60V High ruggednessID : 60A Low RDS(ON) (Typ 5.7m)@VGS=4.5V1 82 7(Typ 4.9m)@VGS=10V6 RDS(ON) :5.7m@VGS=4.5V3 Low Gate Charge (Typ 84nC) 54 Improved dv/dt Capability 4.9m@VGS=10V 100% Avalanche TestedD Application:Electronic Ballast, Motor ControlInverter 4.G

 8.5. Size:708K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf

SWHA065R03VLT SWHA065R03VLT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m@VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top