SWHA15N04V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA15N04V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA15N04V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA15N04V даташит

 ..1. Size:1004K  samwin
 swk15n04v swha15n04v.pdf pdf_icon

SWHA15N04V

SW15N04V N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 40V DFN5*6 SOP8 5 ID 15A High ruggedness 6 1 8 7 Low RDS(ON) (Typ 6.5m )@VGS=4.5V 2 7 8 RDS(ON) 6.5m @ VGS=4.5V 6 3 (Typ 5.8m )@VGS=10V 4 3 4 5 5.8m @ VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) 2 1 Improved dv/dt Capability D 100% Avalanche Tested

 8.1. Size:997K  samwin
 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWHA15N04V

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 8.2. Size:997K  samwin
 sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWHA15N04V

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 9.1. Size:810K  samwin
 swk110r06vt swha110r06vt.pdf pdf_icon

SWHA15N04V

SW110R06VT N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features SOP8 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 11A 1 8 5 Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V 6 2 7 (Typ 10m )@VGS=10V 7 6 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V 3 8 4 5 Low Gate Charge (Typ 69nC) 4 10m @VGS=10V 3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 D Application Electronic Ballast,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, IRFZ48N, SWHA35N10V, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2