SWHA40N06V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA40N06V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA40N06V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA40N06V даташит

 ..1. Size:641K  samwin
 swha40n06v.pdf pdf_icon

SWHA40N06V

SW40N06V N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 40A Low RDS(ON) (Typ 9.5m )@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.4m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 9.5m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 83nC) 5 4 8.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application Electronic Ballast, Moto

Другие IGBT... SWHA069R06VT, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, SWHA35N10V, IRF830, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT