Справочник MOSFET. SWHA7N65M

 

SWHA7N65M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWHA7N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.38 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SWHA7N65M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA7N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  samwin
swn7n65m swd7n65m swf7n65m swha7n65m.pdfpdf_icon

SWHA7N65M

SW7N65MN-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-220F/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-251N TO-252 TO-220F DFN5*6BVDSS : 650VID : 7A High ruggedness1 8 Low RDS(ON) (Typ 1.2)@VGS=10V 2 7RDS(ON) : 1.263 Low Gate Charge (Typ 23nC)4 5 Improved dv/dt Capability 21 1 1 100% Avalanche Tested2 2 23 3 3 Application: LED, Charger, PC Power1TO-251

 6.1. Size:1527K  samwin
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdfpdf_icon

SWHA7N65M

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 6.2. Size:1524K  samwin
sw7n65d swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdfpdf_icon

SWHA7N65M

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 6.3. Size:1401K  samwin
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdfpdf_icon

SWHA7N65M

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO-220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-251U TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11 112 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 22333 33 Improved dv/dt Capability DTO-220FT TO-262N DFN

Другие MOSFET... SWHA120R45VT , SWHA130R06VT , SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , SWHA35N10V , SWHA40N06V , SWHA50P03 , SWHA60N04V , 8N60 , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS .

History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
Back to Top

 


 
.