Справочник MOSFET. SWJ13N65K2

 

SWJ13N65K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWJ13N65K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SWJ13N65K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ13N65K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1576K  samwin
 swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf pdf_icon

SWJ13N65K2

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

Другие MOSFET... SWI7N70K , SWI80N04V , SWI80N06V1 , SWI80N08V1 , SWI830D1 , SWI8N65D , SWI8N80K , SWJ10N65D , K4145 , SWJ20N65K , SWJ4N80D , SWJ5N70K , SWJ6N90D , SWJ7N65DA , SWJ7N70K , SWJ8N90KU , SWK028P04 .

History: IXFX32N100Q3 | LSD65R180GT | DMP1012UCB9 | UF840KL-TN3-R | PHP79NQ08LT | AP4P016I | LSD65R290HF

 

 
Back to Top

 


 
.