SWJ7N65DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWJ7N65DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 184 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SWJ7N65DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ7N65DA даташит

 ..1. Size:918K  samwin
 swn7n65da swj7n65da swd7n65da.pdf pdf_icon

SWJ7N65DA

SW7N65DA N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET Features TO-262N TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 25nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drai

 6.1. Size:1527K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWJ7N65DA

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 6.2. Size:1524K  samwin
 sw7n65d swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWJ7N65DA

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 6.3. Size:1401K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdf pdf_icon

SWJ7N65DA

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO- 220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-251U TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 2 3 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D TO-220FT TO-262N DFN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWI8N65D, SWI8N80K, SWJ10N65D, SWJ13N65K2, SWJ20N65K, SWJ4N80D, SWJ5N70K, SWJ6N90D, K3569, SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SWK028P04VT, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT