Справочник MOSFET. SWJ8N90KU

 

SWJ8N90KU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWJ8N90KU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SWJ8N90KU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ8N90KU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  samwin
 swj8n90ku.pdf pdf_icon

SWJ8N90KU

SW8N90KU N-channel Enhanced mode TO-262N MOSFET TO-262N BVDSS : 900V Features ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 0.97 Low RDS(ON) (Typ 0.97)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

 9.1. Size:710K  samwin
 sw8n70d swf8n70d swj8n70d.pdf pdf_icon

SWJ8N90KU

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

 9.2. Size:1132K  samwin
 sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf pdf_icon

SWJ8N90KU

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 9.3. Size:775K  samwin
 swf8n70d swj8n70d.pdf pdf_icon

SWJ8N90KU

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWJ10N65D , SWJ13N65K2 , SWJ20N65K , SWJ4N80D , SWJ5N70K , SWJ6N90D , SWJ7N65DA , SWJ7N70K , 2SK3568 , SWK028P04 , SWK028P04VT , SWK083R06VLS , SWK083R06VS , SWK083R06VSM , SWK110R03VT , SWK110R06VT , SWK120R45VT .

History: HSS3400A | SSM4500GM

 

 
Back to Top

 


 
.