SWMN10N65K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWMN10N65K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWMN10N65K
SWMN10N65K Datasheet (PDF)
swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1
swmn15n50d.pdf

SW15N50D N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET TO-220SF BVDSS : 500V Features ID : 15A High ruggedness RDS(ON) : 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 92nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This
swmn12n65da.pdf

SW12N65DA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET TO-220SF Features BVDSS : 650V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) :0.75 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:LED, Charger, PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th
Другие MOSFET... SWK15N04V , SWK15N06V , SWK200R10VT , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D , P60NF06 , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD , SWMN5N60D , SWMN6N65K , SWMN7N65J .
History: CTU03N8P5 | IPB042N03LG | SM3419NHQA | RS1G180MN | MMP6975 | CPH6311 | KQB2N50
History: CTU03N8P5 | IPB042N03LG | SM3419NHQA | RS1G180MN | MMP6975 | CPH6311 | KQB2N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta