SWMN12N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWMN12N65D
Маркировка: SW12N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
Время нарастания (tr): 66 ns
Выходная емкость (Cd): 175 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWMN12N65D
SWMN12N65D Datasheet (PDF)
swmn12n65d swy12n65d.pdf
SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220SF TO-220FT BVDSS : 650V Features ID : 12A High ruggedness RDS(ON) : 0.66 Low RDS(ON) (Typ 0.66)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 41nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source
swmn12n65da.pdf
SW12N65DA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET TO-220SF Features BVDSS : 650V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) :0.75 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:LED, Charger, PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th
sw12n70d swf12n70d swu12n70d swmn12n70d swy12n70d.pdf
SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 Application:LED, PC Power, Char
swf12n70d swu12n70d swmn12n70d swy12n70d.pdf
SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:LED, PC Power,
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
