SWMN15N50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWMN15N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWMN15N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN15N50D даташит

 ..1. Size:703K  samwin
swmn15n50d.pdfpdf_icon

SWMN15N50D

SW15N50D N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET TO-220SF BVDSS 500V Features ID 15A High ruggedness RDS(ON) 0.22 Low RDS(ON) (Typ 0.22 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 92nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 7.1. Size:1002K  samwin
swmn15n65j swd15n65j.pdfpdf_icon

SWMN15N50D

SW15N65J N-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-252 MOSFET Features TO-220SF TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 15A Low RDS(ON) (Typ 0.22 )@VGS=10V RDS(ON) 0.22 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application LED , Charger, PC Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This p

 9.1. Size:685K  samwin
swmn12n65da.pdfpdf_icon

SWMN15N50D

SW12N65DA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET TO-220SF Features BVDSS 650V ID 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75 )@VGS=10V RDS(ON) 0.75 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application LED, Charger, PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

 9.2. Size:1319K  samwin
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdfpdf_icon

SWMN15N50D

SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1

Другие IGBT... SWK230R45VT, SWK30N04V, SWL2N70D, SWMI4N60D, SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D, SWMN12N65DA, IRFP250, SWMN15N65J, SWMN4N65DD, SWMN5N60D, SWMN6N65K, SWMN7N65J, SWMN7N65K, SWMN7N90D, SWMN8N65LA