SWN6N70DB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWN6N70DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWN6N70DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN6N70DB даташит

 ..1. Size:994K  samwin
 swf6n70db swd6n70db swn6n70db.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70DB N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-252 TO-251N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 2 3 Application LED, PC Power, Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gen

 6.1. Size:2234K  samwin
 sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

 6.2. Size:2234K  samwin
 swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

 7.1. Size:964K  samwin
 swf6n70k swn6n70k swd6n70k.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charger,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWN4N70D1, SWN4N70K2, SWN4N70L, SWN4N80D, SWN4N80K, SWN5N70K, SWN6N60D, SWN6N65K, IRF9640, SWN7N65DA, SWN7N65DD, SWN7N65K, SWN7N65K2, SWN7N65M, SWN8N80K, SWNB4N65DA, SWNC4N65DC