Справочник MOSFET. SWN6N70DB

 

SWN6N70DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWN6N70DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWN6N70DB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN6N70DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:994K  samwin
 swf6n70db swd6n70db swn6n70db.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70DBN-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFETFeaturesBVDSS : 700VTO-220F TO-252 TO-251NID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10VRDS(ON) : 1.4 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 21 100% Avalanche Tested112223 Application:LED, PC Power, Charger 3311. Gate 2. Drain 3. Source3Gen

 6.1. Size:2234K  samwin
 sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

 6.2. Size:2234K  samwin
 swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

 7.1. Size:964K  samwin
 swf6n70k swn6n70k swd6n70k.pdf pdf_icon

SWN6N70DB

SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 700V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Charger,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWN4N70D1 , SWN4N70K2 , SWN4N70L , SWN4N80D , SWN4N80K , SWN5N70K , SWN6N60D , SWN6N65K , AON7403 , SWN7N65DA , SWN7N65DD , SWN7N65K , SWN7N65K2 , SWN7N65M , SWN8N80K , SWNB4N65DA , SWNC4N65DC .

History: SI8457DB | FDP8N50NZU | CS10N60A8HD | NTMFS4939NT1G | AP9435GP-HF | RS1G120MN | TPB70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.