SWN7N65K2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SWN7N65K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWN7N65K2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWN7N65K2 даташит
swf7n65k2 swi7n65k2 swn7n65k2 swd7n65k2.pdf
SW7N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 0.57 )@VGS=10V RDS(ON) 0.57 Low Gate Charge (Typ 14.5nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application Charge,LED,PC Power 3 3 3
swf7n65k swmn7n65k swi7n65k swn7n65k swd7n65k swp7n65k.pdf
SW7N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO- 251N/TO-252/TO-220 MOSFET Features TO-220F TO-220SF TO-251 TO-251N TO-252 TO-220 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5 )@VGS=10V RDS(ON) 0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 Applica
swf7n65dd swn7n65dd swd7n65dd.pdf
SW7N65DD N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. So
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf
SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
Другие IGBT... SWN4N80K, SWN5N70K, SWN6N60D, SWN6N65K, SWN6N70DB, SWN7N65DA, SWN7N65DD, SWN7N65K, EMB04N03H, SWN7N65M, SWN8N80K, SWNB4N65DA, SWNC4N65DC, SWNC4N65DD, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, SWP020R03VLT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet








