Справочник MOSFET. SWNX8N65D

 

SWNX8N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWNX8N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWNX8N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWNX8N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1171K  samwin
 swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf pdf_icon

SWNX8N65D

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS : 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:Charg

Другие MOSFET... SWN7N65K , SWN7N65K2 , SWN7N65M , SWN8N80K , SWNB4N65DA , SWNC4N65DC , SWNC4N65DD , SWNC4N70D1 , IRFP064N , SWP020R03VLT , SWP030R04VT , SWP031R06ET , SWP035R10E6S , SWP036R10E8S , SWP038R04VT , SWP042R10ES , SWP046R08E8T .

History: PSMN1R1-40BS | SWT69N65K2F | SI8499DB | 2SJ285 | STD30PF03L-1 | AOH3106

 

 
Back to Top

 


 
.