SWP038R04VT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWP038R04VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 618 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP038R04VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP038R04VT даташит

 ..1. Size:648K  samwin
 swp038r04vt.pdf pdf_icon

SWP038R04VT

SW038R04VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.3m )@VGS=4.5V ID 95A (Typ 3.8m )@VGS=10V RDS(ON) 4.3m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 105nC) Improved dv/dt Capability 3.8m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application DC-DC Converter, Motor Control, 3 2 Sy

 7.1. Size:728K  samwin
 swb038r10es swp038r10es.pdf pdf_icon

SWP038R04VT

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 100V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 3 3 Inverter , Li Battery Protect Bo

 7.2. Size:905K  samwin
 sw038r10es swb038r10es swp038r10es swt038r10es.pdf pdf_icon

SWP038R04VT

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS 100V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,

 9.1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWP038R04VT

SW036R10E8S N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 100V High ruggedness ID 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC) RDS(ON) 3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Motor Drivers 1 1. Gate 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWNC4N65DD, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, SWP020R03VLT, SWP030R04VT, SWP031R06ET, SWP035R10E6S, SWP036R10E8S, 20N60, SWP042R10ES, SWP046R08E8T, SWP046R08E9T, SWP046R68E8T, SWP050R68E8T, SWP050R95E8S, SWP051R08ES, SWP055R68E7T