Справочник MOSFET. SWP069R06VT

 

SWP069R06VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP069R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP069R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  samwin
 swp069r06vt.pdf pdf_icon

SWP069R06VT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=4.5V (Typ 5.6m)@VGS=10V RDS(ON) :6.8m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 80nC) 1 Improved dv/dt Capability 5.6m@VGS=10V 2 100% Avalanche Tested 3 D Application:Synchronous Rectification, Li Batter

 7.1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWP069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V

 7.2. Size:708K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf pdf_icon

SWP069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m@VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A

 9.1. Size:835K  samwin
 swp066r72e7t.pdf pdf_icon

SWP069R06VT

SW066R72E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 72V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.9m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 89nC)RDS(ON) :6.9m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TDM3430 | UT3N10L-K08-3030-R

 

 
Back to Top

 


 
.