Справочник MOSFET. SWP078R08E8T

 

SWP078R08E8T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP078R08E8T
   Маркировка: SW078R08E8T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP078R08E8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  samwin
 swp078r08e8t.pdf pdf_icon

SWP078R08E8T

SW078R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 80V High ruggednessID : 95A Low RDS(ON) (Typ 8.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 8.4m Low Gate Charge (Typ 98nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

 4.1. Size:1051K  samwin
 swb078r08et swp078r08et.pdf pdf_icon

SWP078R08E8T

SW078R08ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features BVDSS :80V TO-263 TO-220 High ruggedness ID :60A Low RDS(ON) (Typ 7.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.8m Low Gate Charge (Typ 79nC) Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 1 2 3 2 Application:Telecom, Computer,Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Ge

 9.1. Size:751K  samwin
 swp076r68e7t swb076r68e7t.pdf pdf_icon

SWP078R08E8T

SW076R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 7.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 70nC)RDS(ON) : 7.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

 9.2. Size:1029K  samwin
 swb072r08et swp072r08et.pdf pdf_icon

SWP078R08E8T

SW072R08ETN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220 BVDSS : 80V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 6.6m Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 1 Application:Synchronous Rectification, 2 23 3Inverter, Li Battery Protect Board11. Gate 2. Drain 3. So

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CED25N15L

 

 
Back to Top

 


 
.