Справочник MOSFET. SWSI4N60DA

 

SWSI4N60DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWSI4N60DA
   Маркировка: SW4N60DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SWSI4N60DA

 

 

SWSI4N60DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  samwin
 swd4n60da swf4n60da swsi4n60da.pdf

SWSI4N60DA SWSI4N60DA

SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35)@VGS=10V RDS(ON) : 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 5.1. Size:916K  samwin
 swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdf

SWSI4N60DA SWSI4N60DA

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 7.1. Size:1049K  samwin
 swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf

SWSI4N60DA SWSI4N60DA

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

 8.1. Size:833K  samwin
 swsi4n40dc swd4n40dc.pdf

SWSI4N60DA SWSI4N60DA

SW4N40DC N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 400V TO-251S ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10V RDS(ON) : 1.4 Low Gate Charge (Typ 11.7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED, DC-DC 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This

 8.2. Size:855K  samwin
 swsi4n70d1 swn4n70d1 swnc4n70d1 swf4n70d1.pdf

SWSI4N60DA SWSI4N60DA

SW4N70D1N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F MOSFETFeatures TO-220FTO-251S TO-251N TO-251N-S2BVDSS : 700VID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.1)@VGS=10VRDS(ON) : 2.1 Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested111 1222 2 Application:Adapter,LED,Charger 333 311. Gate

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SSPS922NE | FDS4685-NL | FDS4559 | FDS4435-NL

 

 
Back to Top