Справочник MOSFET. SWT38N65K2

 

SWT38N65K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT38N65K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 291 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT38N65K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT38N65K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  samwin
 swt38n65k2.pdf pdf_icon

SWT38N65K2

SW38N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 38A High ruggedness RDS(ON) : 79m Low RDS(ON) (Typ 79m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 71nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 0.1. Size:860K  samwin
 swt38n65k2f swx38n65k2f.pdf pdf_icon

SWT38N65K2

SW38N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247/TO-220FB MOSFET Features TO-247 TO-220FB BVDSS : 650V ID : 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 83m)@VGS=10V RDS(ON) : 83m Low Gate Charge (Typ 71nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: Charge, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source Gener

 5.1. Size:612K  samwin
 swt38n65k.pdf pdf_icon

SWT38N65K2

SW38N65K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 650V ID : 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.09)@VGS=10V RDS(ON) :0.09 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application:ChargerLEDUPSServicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 5.2. Size:707K  samwin
 sw38n65kf swt38n65kf.pdf pdf_icon

SWT38N65K2

SW38N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 38A High ruggedness RDS(ON) : 95m Low RDS(ON) (Typ 95m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application:LED, UPS, Charge, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , EMB04N03H , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K .

History: CJAC70N03 | SVF18NE50PN | SE4060 | HGA040N06SL | BSC026N08NS5 | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.