SWT38N65K2F - описание и поиск аналогов

 

SWT38N65K2F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT38N65K2F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT38N65K2F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT38N65K2F даташит

 ..1. Size:860K  samwin
swt38n65k2f swx38n65k2f.pdfpdf_icon

SWT38N65K2F

SW38N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247/TO-220FB MOSFET Features TO-247 TO-220FB BVDSS 650V ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 83m )@VGS=10V RDS(ON) 83m Low Gate Charge (Typ 71nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charge, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source Gener

 4.1. Size:654K  samwin
swt38n65k2.pdfpdf_icon

SWT38N65K2F

SW38N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 38A High ruggedness RDS(ON) 79m Low RDS(ON) (Typ 79m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 71nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 5.1. Size:612K  samwin
swt38n65k.pdfpdf_icon

SWT38N65K2F

SW38N65K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 650V ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.09 )@VGS=10V RDS(ON) 0.09 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger LED UPS Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 5.2. Size:707K  samwin
sw38n65kf swt38n65kf.pdfpdf_icon

SWT38N65K2F

SW38N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 38A High ruggedness RDS(ON) 95m Low RDS(ON) (Typ 95m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application LED, UPS, Charge, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

Другие MOSFET... SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , K2611 , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F .

History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.