SWT45N60K2F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWT45N60K2F
Маркировка: SW45N60K2F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 338 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 74 nC
Время нарастания (tr): 104 ns
Выходная емкость (Cd): 109 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.083 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SWT45N60K2F
SWT45N60K2F Datasheet (PDF)
swt45n60k2f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SW45N60K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 600V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 65m Low RDS(ON) (Typ 65m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS
swt45n60k2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SW45N60K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 600V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 60m Low RDS(ON) (Typ 60m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF
swt45n65k2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SW45N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 61m Low RDS(ON) (Typ 61m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF
swt45n65k2f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SW45N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 66m Low RDS(ON) (Typ 66m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .