Справочник MOSFET. SWT45N65K2

 

SWT45N65K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT45N65K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT45N65K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  samwin
 swt45n65k2.pdf pdf_icon

SWT45N65K2

SW45N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 61m Low RDS(ON) (Typ 61m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF

 0.1. Size:650K  samwin
 swt45n65k2f.pdf pdf_icon

SWT45N65K2

SW45N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 66m Low RDS(ON) (Typ 66m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS

 7.1. Size:628K  samwin
 swt45n60k2f.pdf pdf_icon

SWT45N65K2

SW45N60K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 600V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 65m Low RDS(ON) (Typ 65m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS

 7.2. Size:635K  samwin
 swt45n60k2.pdf pdf_icon

SWT45N65K2

SW45N60K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 600V Features ID : 45A High ruggedness RDS(ON) : 60m Low RDS(ON) (Typ 60m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVS20N60FJD2

 

 
Back to Top

 


 
.