SWT45N65K2 - описание и поиск аналогов

 

SWT45N65K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT45N65K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT45N65K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT45N65K2 даташит

 ..1. Size:655K  samwin
swt45n65k2.pdfpdf_icon

SWT45N65K2

SW45N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 61m Low RDS(ON) (Typ 61m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF

 0.1. Size:650K  samwin
swt45n65k2f.pdfpdf_icon

SWT45N65K2

SW45N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 66m Low RDS(ON) (Typ 66m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS

 7.1. Size:628K  samwin
swt45n60k2f.pdfpdf_icon

SWT45N65K2

SW45N60K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 600V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 65m Low RDS(ON) (Typ 65m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS

 7.2. Size:635K  samwin
swt45n60k2.pdfpdf_icon

SWT45N65K2

SW45N60K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 600V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 60m Low RDS(ON) (Typ 60m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF

Другие MOSFET... SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , AOD4184A , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F , SWT47N65KF , SWT47N70K , SWT50N65LF , SWT69N65K2 .

History: APT5010LLL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.