SWT47N65KF - описание и поиск аналогов

 

SWT47N65KF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT47N65KF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT47N65KF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT47N65KF даташит

 ..1. Size:618K  samwin
 swt47n65kf.pdf pdf_icon

SWT47N65KF

SW47N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 650V High ruggedness ID 47A Low RDS(ON) (Typ 60m )@VGS=10V RDS(ON) 60m Low Gate Charge (Typ 152nC) Extremely Low trr and Qrr 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application LED, UPS, Charger, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

 5.1. Size:810K  samwin
 sw47n65k2 swt47n65k2.pdf pdf_icon

SWT47N65KF

SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 47A High ruggedness RDS(ON) 56m Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, UPS, Charge, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This p

 5.2. Size:748K  samwin
 swt47n65k2.pdf pdf_icon

SWT47N65KF

SW47N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 47A High ruggedness RDS(ON) 56m Low RDS(ON) (Typ 56m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 103nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, UPS, Charger, Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 5.3. Size:739K  samwin
 swt47n65k2f.pdf pdf_icon

SWT47N65KF

SW47N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 650V ID 47A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 59m )@VGS=10V RDS(ON) 59m Low Gate Charge (Typ 102nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, UPS , LED , Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F , SWT47N60K , SWT47N65K , SWT47N65K2F , IRF730 , SWT47N70K , SWT50N65LF , SWT69N65K2 , SWT69N65K2F , SWU069R10VS , SWU100R10VT , SWU10N65D , SWU10N65K .

History: STU413S | VS6412AE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.