Справочник MOSFET. SWU10N65D

 

SWU10N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWU10N65D
   Маркировка: SW10N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для SWU10N65D

 

 

SWU10N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1319K  samwin
 swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf

SWU10N65D SWU10N65D

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1

 6.1. Size:1328K  samwin
 swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf

SWU10N65D SWU10N65D

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

 8.1. Size:653K  samwin
 sw10n70d swu10n70d.pdf

SWU10N65D SWU10N65D

SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charge, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power M

 8.2. Size:722K  samwin
 swu10n70d.pdf

SWU10N65D SWU10N65D

SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top