SWU10N65D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWU10N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SWU10N65D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWU10N65D даташит
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf
SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1
swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf
SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36 )@VGS=10V RDS(ON) 0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio
sw10n70d swu10n70d.pdf
SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS 700V ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charge, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power M
swu10n70d.pdf
SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS 700V ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charger, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power
Другие MOSFET... SWT47N65K2F , SWT47N65KF , SWT47N70K , SWT50N65LF , SWT69N65K2 , SWT69N65K2F , SWU069R10VS , SWU100R10VT , IRF540 , SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D .
History: HY5012W | WMN13N50C4 | WMO05N80M3 | WML9N90D1B | WMM08N70EM | WMM36N65F2 | CS55N25A8R-G
History: HY5012W | WMN13N50C4 | WMO05N80M3 | WML9N90D1B | WMM08N70EM | WMM36N65F2 | CS55N25A8R-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540




