SWW20N65K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWW20N65K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SWW20N65K
SWW20N65K Datasheet (PDF)
swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS : 650V High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat
Другие MOSFET... SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , 10N60 , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP10N06MSI | AP10N06D | AP10N04MSI | AP10H10S | AP10H04DF | AP10G06S | AP10G06NF | AP10G03S | AP100P04D | AP100P03D | APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42