SWW20N65K - описание и поиск аналогов

 

SWW20N65K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWW20N65K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SWW20N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWW20N65K даташит

 ..1. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWW20N65K

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS 650V High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

Другие MOSFET... SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , IRFP260N , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.