Справочник MOSFET. SWW20N65K

 

SWW20N65K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWW20N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SWW20N65K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWW20N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWW20N65K

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS : 650V High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

Другие MOSFET... SWU10N65K , SWU11N65D , SWU16N70K , SWU6N65K , SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , 10N60 , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D .

History: RSQ035N03TR | MTM25N10 | WSD30160DN56 | HY3712PM | ZXM62P02E6 | NTLGF3402PT1G

 

 
Back to Top

 


 
.