SWX38N65K2F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWX38N65K2F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 184 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWX38N65K2F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX38N65K2F даташит

 ..1. Size:860K  samwin
 swt38n65k2f swx38n65k2f.pdf pdf_icon

SWX38N65K2F

SW38N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247/TO-220FB MOSFET Features TO-247 TO-220FB BVDSS 650V ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 83m )@VGS=10V RDS(ON) 83m Low Gate Charge (Typ 71nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charge, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source Gener

Другие IGBT... SWU8N60D, SWU8N65K, SWU8N80K, SWUI7N65D, SWW20N65K, SWWF7N90D, SWX090R15ET, SWX170R15ET, IRF3710, SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D, SWYN4N65DD, SWYN7N65D, SWYS069R10VS