Справочник MOSFET. SWX38N65K2F

 

SWX38N65K2F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWX38N65K2F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 184 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWX38N65K2F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWX38N65K2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  samwin
 swt38n65k2f swx38n65k2f.pdf pdf_icon

SWX38N65K2F

SW38N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247/TO-220FB MOSFET Features TO-247 TO-220FB BVDSS : 650V ID : 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 83m)@VGS=10V RDS(ON) : 83m Low Gate Charge (Typ 71nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: Charge, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source Gener

Другие MOSFET... SWU8N60D , SWU8N65K , SWU8N80K , SWUI7N65D , SWW20N65K , SWWF7N90D , SWX090R15ET , SWX170R15ET , IRFB4227 , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , SWYN4N65DD , SWYN7N65D , SWYS069R10VS .

History: RQJ0305EQDQS | 75N75 | IPD60R380C6 | HUF76445S3S

 

 
Back to Top

 


 
.