S40N14R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: S40N14R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 601 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для S40N14R
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
S40N14R даташит
s40n14r s40n14s s40n14rn s40n14rp.pdf
S40N14R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=40V,ID=140A DC Motor Control Rds(on)(typ)=3.4m @Vgs=4.5V DC-DC Converters Rds(on)(typ)=2.8m @Vgs=10V BMS 100% Avalanche Tested SMPS 100% Rg Tested Automotive Environment Lead-Free (RoHS Compliant) Internal Circuit and Pin Description
s40n14s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor S40N14S FEATURES Drain Current I = 140A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R 3.4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM
rf1s40n10.pdf
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 40A, 100V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040 the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curve sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti
rfg40n10 rfp40n10 rf1s40n10-sm.pdf
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 40A, 100V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040 the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curve sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti
Другие MOSFET... S15H12S , S30N08M , S40N08M , S40N09R , S40N09RN , S40N09RP , S40N09S , S40N12M , 5N60 , S40N14RN , S40N14RP , S45N17R , S45N17RN , S45N17RP , S45N17S , S60N06M , S60N10M .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001







