S45N17S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: S45N17S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 201 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 170 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 132 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 1066 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: TO220
S45N17S Datasheet (PDF)
s45n17r s45n17s s45n17rn s45n17rp.pdf
S45N17R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=45V,ID=170A DC Motor Control Rds(on)(typ)=2.8m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
hms45n15d.pdf
HMS45N15D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS45N15D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi
hms45n15k.pdf
N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
