S70N06RP - описание и поиск аналогов

 

S70N06RP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S70N06RP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0132 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для S70N06RP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S70N06RP даташит

 ..1. Size:2304K  cn si-tech
s70n06r s70n06s s70n06rn s70n06rp.pdfpdf_icon

S70N06RP

S70N06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=70V,ID=57A DC Motor Control Rds(on)(typ)=11.5m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

 8.1. Size:229K  fairchild semi
rfg70n06 rfp70n06 rf1s70n06 rf1s70n06sm.pdfpdf_icon

S70N06RP

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06, RF1S70N06SM Data Sheet February 2005 70A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 70A, 60V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014 the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Model sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

 8.2. Size:227K  fairchild semi
rf1s70n06.pdfpdf_icon

S70N06RP

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06, RF1S70N06SM Data Sheet February 2005 70A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 70A, 60V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014 the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Model sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

 8.3. Size:149K  semihow
hrs70n06k.pdfpdf_icon

S70N06RP

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRS70N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 5.6 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test

Другие MOSFET... S68N08RN , S68N08RP , S68N08ZR , S68N08ZS , S68N08ZRN , S68N08ZRP , S70N06R , S70N06RN , K2611 , S70N06S , S70N08ZR , S70N08ZS , S70N08ZRN , S70N08ZRP , S8045R , S8045RN , S8045RP .

History: UPA1772 | 2SK3650-01L | 2SJ649

 

 

 

 

↑ Back to Top
.