S70N06S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: S70N06S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 198 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0132 Ohm
Тип корпуса: TO263
S70N06S Datasheet (PDF)
s70n06r s70n06s s70n06rn s70n06rp.pdf
S70N06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=70V,ID=57A DC Motor Control Rds(on)(typ)=11.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
rfg70n06 rfp70n06 rf1s70n06 rf1s70n06sm.pdf
RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06,RF1S70N06SMData Sheet February 200570A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic
rf1s70n06.pdf
RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06,RF1S70N06SMData Sheet February 200570A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic
hrs70n06k.pdf
December 2014BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRS70N06K ID = 80 A60V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 5.6 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
