Справочник MOSFET. S80N08R

 

S80N08R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: S80N08R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62 nC
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для S80N08R

 

 

S80N08R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cn si-tech
 s80n08r s80n08s s80n08rn s80n08rp.pdf

S80N08R S80N08R

S80N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=80V,ID=84A DC Motor Control Rds(on)(typ)=7m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

 8.1. Size:1245K  jilin sino
 jcs80n08i.pdf

S80N08R S80N08R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.2. Size:946K  feihonltd
 fhs80n08b fhd80n08b.pdf

S80N08R S80N08R

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 8.3. Size:168K  semihow
 hrs80n08k.pdf

S80N08R S80N08R

December 2014BVDSS = 80 VRDS(on) typ HRS80N08K ID = 120 A80V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 60nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.7 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test

 8.4. Size:747K  cn vanguard
 vs80n08at.pdf

S80N08R S80N08R

VS80N08AT 80V/83A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m N-Channel10V Logic Level Control I D 83 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS80N08AT TO-220AB 8

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MEE4294P2-G

 

 
Back to Top