Справочник MOSFET. CRST037N10N

 

CRST037N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRST037N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1154 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CRST037N10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRST037N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.1. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 9.2. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST045N10N, CRSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.3. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST065N08N, CRSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , IRF3710 , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S .

History: IRLZ34S | FDA28N50 | IRFU5410 | IXTP2N60P | KDV303N | AON6702

 

 
Back to Top

 


 
.