CRST037N10N - описание и поиск аналогов

 

CRST037N10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRST037N10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1154 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CRST037N10N

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRST037N10N даташит

 ..1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ 3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

 9.1. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 1

 9.2. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST045N10N, CRSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

 9.3. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRST037N10N

CRST065N08N, CRSS063N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , AO3400 , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.