Справочник MOSFET. CRSS035N10N

 

CRSS035N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRSS035N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1154 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CRSS035N10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSS035N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRSS035N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 8.1. Size:584K  crhj
 crst041n08n crss038n08n.pdf pdf_icon

CRSS035N10N

CRST041N08N, CRSS038N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 3.4m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.4m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 8.2. Size:567K  crhj
 crst040n10n crss037n10n.pdf pdf_icon

CRSS035N10N

CRST040N10N, CRSS037N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.1. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRSS035N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , AON6414A , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S .

History: APT30M40LVR | IRFH5020PBF | SSF2341E

 

 
Back to Top

 


 
.