FDS86242 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDS86242
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.9 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для FDS86242
FDS86242 Datasheet (PDF)
fds86242.pdf

August 2010FDS86242N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 4.1 A, 67 mFeatures General Description Max rDS(on) = 67 m at VGS = 10 V, ID = 4.1 AThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 98 m at VGS = 6 V, ID = 3.3 A been optimized for rDS(on), switching performance and High performance tren
fds86242.pdf

Sept 2017FDS86242N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 4.1 A, 67 mFeatures General Description Max rDS(on) = 67 m at VGS = 10 V, ID = 4.1 AThis N -Channel MOSFET is produ ced using ON Semiconductors advanced Power T rench process that has Max rDS(on) = 98 m at VGS = 6 V, ID = 3.3 A been optimized for rDS(on), switching per formance and High performance trench te
fds86242.pdf

FDS86242www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO-
fds86240.pdf

June 2010FDS86240N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 7.5 A, 19.8 mFeatures General Description Max rDS(on) = 19.8 m at VGS = 10 V, ID = 7.5 AThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 26 m at VGS = 6 V, ID = 6.4 A been optimized for rDS(on), switching performance and High performance tre
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL | JMSH2010PS | JMSH2010PE | JMSH2010PCQ | JMSH2010PC | JMSH2010BTL | JMSH2010BS | JMSH2010BE | JMSH2010BC
Popular searches
mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188