Справочник MOSFET. FDS86242

 

FDS86242 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS86242
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS86242

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS86242 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  fairchild semi
fds86242.pdfpdf_icon

FDS86242

August 2010FDS86242N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 4.1 A, 67 mFeatures General Description Max rDS(on) = 67 m at VGS = 10 V, ID = 4.1 AThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 98 m at VGS = 6 V, ID = 3.3 A been optimized for rDS(on), switching performance and High performance tren

 ..2. Size:678K  onsemi
fds86242.pdfpdf_icon

FDS86242

Sept 2017FDS86242N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 4.1 A, 67 mFeatures General Description Max rDS(on) = 67 m at VGS = 10 V, ID = 4.1 AThis N -Channel MOSFET is produ ced using ON Semiconductors advanced Power T rench process that has Max rDS(on) = 98 m at VGS = 6 V, ID = 3.3 A been optimized for rDS(on), switching per formance and High performance trench te

 ..3. Size:819K  cn vbsemi
fds86242.pdfpdf_icon

FDS86242

FDS86242www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO-

 7.1. Size:238K  fairchild semi
fds86240.pdfpdf_icon

FDS86242

June 2010FDS86240N-Channel PowerTrench MOSFET 150 V, 7.5 A, 19.8 mFeatures General Description Max rDS(on) = 19.8 m at VGS = 10 V, ID = 7.5 AThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 26 m at VGS = 6 V, ID = 6.4 A been optimized for rDS(on), switching performance and High performance tre

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.