HGA053N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA053N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA053N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA053N06S даташит

 ..1. Size:913K  cn hunteck
 hga053n06s.pdf pdf_icon

HGA053N06S

P-1 HGA053N06S 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 4.8 RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching 56 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

 0.1. Size:771K  cn hunteck
 hga053n06sl.pdf pdf_icon

HGA053N06S

HGA053N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 54 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 9.1. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12sl.pdf pdf_icon

HGA053N06S

HGA059N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 67 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2 Power Tools

 9.2. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12s.pdf pdf_icon

HGA053N06S

HGA059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 66.7 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain TO-220F Pin2 Power Tools

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HG3P095N25S, HGA025N06S, HGA028NE6AL, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL, HGA046NE6A, HGA046NE6AL, 2N7002, HGA053N06SL, HGA055N10SL, HGA058N08SL, HGA059N08A, HGA059N12S, HGA059N12SL, HGA080N10A, HGA080N10AL