Справочник MOSFET. HGA059N08A

 

HGA059N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA059N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 502 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HGA059N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA059N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:973K  cn hunteck
 hga059n08a.pdf pdf_icon

HGA059N08A

HGA059N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching5.3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability49 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2TO-220

 7.1. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12sl.pdf pdf_icon

HGA059N08A

HGA059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability67 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2 Power Tools

 7.2. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12s.pdf pdf_icon

HGA059N08A

HGA059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability66.7 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-220FPin2 Power Tools

 9.1. Size:762K  cn hunteck
 hga058n08sl.pdf pdf_icon

HGA059N08A

HGA058N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level4.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.9RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness63 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGA040N06SL , HGA045NE4SL , HGA046NE6A , HGA046NE6AL , HGA053N06S , HGA053N06SL , HGA055N10SL , HGA058N08SL , AO3400 , HGA059N12S , HGA059N12SL , HGA080N10A , HGA080N10AL , HGA080N10S , HGA082N10M , HGA090N06SL , HGA093N12SL .

History: STF5N62K3 | STL75NH3LL | SDF150JAB | IPB038N12N3G | AM90N20-40P | AM50N08-14D | 2SK416S

 

 
Back to Top

 


 
.