Справочник MOSFET. HGP020N10S

 

HGP020N10S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP020N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2657 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP020N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1055K  cn hunteck
 hgb020n10s hgk020n10s hgp020n10s.pdf pdf_icon

HGP020N10S

, P-1HGB020N10S HGK020N10SHGP020N10S100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 1.6 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-247 1.8 mW Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on),typ TO-220 1.9 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested327 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free180 AID (Package Limit

 7.1. Size:1129K  cn hunteck
 hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGP020N10S

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli

 9.1. Size:861K  cn hunteck
 hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGP020N10S

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

 9.2. Size:812K  cn hunteck
 hgb029n06sl hgp029n06sl.pdf pdf_icon

HGP020N10S

HGB029N06SL HGP029N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature1.8RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic LevelVGS=4.5V2.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability2.1RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m Enhanced Avalanche RuggednessVGS=4.5V3.0RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested198 AID (Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK1809 | MTB25P06FP | PSMG100-05 | MMSF3P02HDR2 | SDD04N60 | DMT6016LFDF | SRT10N022HTLTR-G

 

 
Back to Top

 


 
.