Справочник MOSFET. HGK023N08S

 

HGK023N08S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGK023N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HGK023N08S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK023N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:861K  cn hunteck
 hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGK023N08S

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

 9.1. Size:1129K  cn hunteck
 hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGK023N08S

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli

 9.2. Size:870K  cn hunteck
 hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf pdf_icon

HGK023N08S

,HGB025N06S HGK025N06S P-1HGP025N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.8RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.9RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested230 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

 9.3. Size:1042K  cn hunteck
 hgb027n10a hgk027n10a hgp027n10a.pdf pdf_icon

HGK023N08S

HGB027N10A , P-1HGK027N10AHGP027N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 2.2 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-247 VGS=10V 2.4 mW Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 2.5 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested248 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGK020N10S , HGP020N10S , HGB020NE4S , HGK020NE4S , HGP020NE4S , HGB021N08A , HGP021N08A , HGB021N08S , EMB04N03H , HGP024N08S , HGB023NE6A , HGP023NE6A , HGB025N06S , HGK025N06S , HGP025N06S , HGB025N10A , HGB025N12S .

History: AP9990GMT-L | CS6N70FB9D | 2SK2892-01R | AP9971AGS-HF | BSC054N04NSG | SVD501DEAG | NTMFS4837NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.