HGB025N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGB025N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HGB025N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB025N06S даташит

 ..1. Size:870K  cn hunteck
hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdfpdf_icon

HGB025N06S

, HGB025N06S HGK025N06S P-1 HGP025N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.6 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.8 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.9 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 230 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Ap

 7.1. Size:1004K  cn hunteck
hgb025n12s.pdfpdf_icon

HGB025N06S

P-1 HGB025N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263-7 1.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 285 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig

 7.2. Size:999K  cn hunteck
hgb025n10a.pdfpdf_icon

HGB025N06S

HGB025N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 2.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 258 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/D

 9.1. Size:861K  cn hunteck
hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdfpdf_icon

HGB025N06S

, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)

Другие IGBT... HGP020NE4S, HGB021N08A, HGP021N08A, HGB021N08S, HGK023N08S, HGP024N08S, HGB023NE6A, HGP023NE6A, MMIS60R580P, HGK025N06S, HGP025N06S, HGB025N10A, HGB025N12S, HGB027N10A, HGK027N10A, HGP027N10A, HGB027N10S