Справочник MOSFET. HGP027N12S

 

HGP027N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP027N12S
   Маркировка: GP027N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 220 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1332 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP027N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:979K  cn hunteck
 hgb027n12s hgp027n12s.pdf pdf_icon

HGP027N12S

, P-1HGB027N12S HGP027N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 2.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness269 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificatio

 6.1. Size:1042K  cn hunteck
 hgb027n10a hgk027n10a hgp027n10a.pdf pdf_icon

HGP027N12S

HGB027N10A , P-1HGK027N10AHGP027N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 2.2 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-247 VGS=10V 2.4 mW Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 2.5 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested248 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free

 9.1. Size:861K  cn hunteck
 hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGP027N12S

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

 9.2. Size:812K  cn hunteck
 hgb029n06sl hgp029n06sl.pdf pdf_icon

HGP027N12S

HGB029N06SL HGP029N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature1.8RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic LevelVGS=4.5V2.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability2.1RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m Enhanced Avalanche RuggednessVGS=4.5V3.0RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested198 AID (Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.