HGB029N06SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGB029N06SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HGB029N06SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB029N06SL даташит

 ..1. Size:812K  cn hunteck
hgb029n06sl hgp029n06sl.pdfpdf_icon

HGB029N06SL

HGB029N06SL HGP029N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 1.8 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level VGS=4.5V 2.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.1 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness VGS=4.5V 3.0 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 198 A ID (Si

 7.1. Size:823K  cn hunteck
hgb029ne4sl hgp029ne4sl.pdfpdf_icon

HGB029N06SL

HGB029NE4SL HGP029NE4SL P-1 , 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 2.2 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 2.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 3.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 182 A ID (Sillicon Limited)

 9.1. Size:861K  cn hunteck
hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdfpdf_icon

HGB029N06SL

, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)

 9.2. Size:1129K  cn hunteck
hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdfpdf_icon

HGB029N06SL

, P-1 HGB020NE4S HGK020NE4S HGP020NE4S 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.75 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 288 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited) Appli

Другие IGBT... HGK029N10S, HGP030N10S, HGB027N12S, HGP027N12S, HGB028N08A, HGP028N08A, HGB028NE6A, HGP028NE6A, IRF640, HGP029N06SL, HGB029NE4SL, HGP029NE4SL, HGB035N08A, HGP035N08A, HGB035N10A, HGK035N10A, HGP035N10A