Справочник MOSFET. HGP029NE4SL

 

HGP029NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP029NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1367 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP029NE4SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP029NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  cn hunteck
 hgb029ne4sl hgp029ne4sl.pdf pdf_icon

HGP029NE4SL

HGB029NE4SL HGP029NE4SL P-1,45V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature2.2RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level2.9RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness3.2RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested182 AID (Sillicon Limited)

 7.1. Size:812K  cn hunteck
 hgb029n06sl hgp029n06sl.pdf pdf_icon

HGP029NE4SL

HGB029N06SL HGP029N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature1.8RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic LevelVGS=4.5V2.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability2.1RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m Enhanced Avalanche RuggednessVGS=4.5V3.0RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested198 AID (Si

 9.1. Size:861K  cn hunteck
 hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGP029NE4SL

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

 9.2. Size:1129K  cn hunteck
 hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGP029NE4SL

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGP027N12S , HGB028N08A , HGP028N08A , HGB028NE6A , HGP028NE6A , HGB029N06SL , HGP029N06SL , HGB029NE4SL , IRF640N , HGB035N08A , HGP035N08A , HGB035N10A , HGK035N10A , HGP035N10A , HGB037N10S , HGK037N10S , HGP037N10S .

History: IPB110N06LG | FK3F0301 | FDS6680S | STN4260 | AOT2906 | 2SK681A | BSC035N04LSG

 

 
Back to Top

 


 
.