Справочник MOSFET. HGB035N08A

 

HGB035N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB035N08A
   Маркировка: GB035N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 172 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 703 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB035N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:968K  cn hunteck
 hgb035n08a hgp035n08a.pdf pdf_icon

HGB035N08A

HGB035N08A , HGP035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness161 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hig

 7.1. Size:1072K  cn hunteck
 hgb035n10a hgk035n10a hgp035n10a.pdf pdf_icon

HGB035N08A

, P-1HGB035N10A HGK035N10AHGP035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ TO-263 mW Enhanced Avalanche Ruggedness3.3RDS(on),typ TO-247 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.4RDS(on),typ TO-220 mW Lead Free184 AID (Sillicon Limited)Application120 AID (Package Lim

 9.1. Size:918K  cn hunteck
 hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdf pdf_icon

HGB035N08A

HGB037N10S HGK037N10S P-1,HGP037N10S100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 2.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.1RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested190 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

 9.2. Size:1604K  cn hunteck
 hgb037n10t hgp037n10t hga037n10t.pdf pdf_icon

HGB035N08A

HGB037N10T HGP037N10T P-1,HGA037N10T100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability168 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AO4726 | STW13NM60N | DH028N03E | LSC60R650HT | SWD4N70K2 | MTBA5C10Q8 | QM0016P

 

 
Back to Top

 


 
.