Справочник MOSFET. HGB039N08A

 

HGB039N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB039N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1317 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB039N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB039N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  cn hunteck
hgb039n08a hgp039n08a.pdfpdf_icon

HGB039N08A

,HGB039N08A HGP039N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.2RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness196 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectific

 5.1. Size:851K  cn hunteck
hgb039n08s hgk039n08s hgp039n08s.pdfpdf_icon

HGB039N08A

,HGB039N08S HGK039N08S P-1HGP039N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3.1RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.2RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested187 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limit

 7.1. Size:925K  cn hunteck
hgb039n12s hgk039n12s hgp039n12s.pdfpdf_icon

HGB039N08A

,HGB039N12S HGK039N12S P-1HGP039N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.6RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability197 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard

 7.2. Size:973K  cn hunteck
hgb039n15m hgp039n15m.pdfpdf_icon

HGB039N08A

, P-1HGB039N15M HGP039N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness206 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificat

Другие MOSFET... HGP035N10A , HGB037N10S , HGK037N10S , HGP037N10S , HGB037N10T , HGP037N10T , HGA037N10T , HGB037N15M , AON7408 , HGP039N08A , HGB039N08S , HGK039N08S , HGP039N08S , HGB039N12S , HGK039N12S , HGP039N12S , HGB039N15M .

History: CJ3139KDW | NVMFS5C645NL | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | F5043 | CEB6060N

 

 
Back to Top

 


 
.