Справочник MOSFET. HGB039N08A

 

HGB039N08A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGB039N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1317 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB039N08A

 

 

HGB039N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  cn hunteck
 hgb039n08a hgp039n08a.pdf

HGB039N08A HGB039N08A

,HGB039N08A HGP039N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.2RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness196 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectific

 5.1. Size:851K  cn hunteck
 hgb039n08s hgk039n08s hgp039n08s.pdf

HGB039N08A HGB039N08A

,HGB039N08S HGK039N08S P-1HGP039N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3.1RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.2RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested187 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limit

 7.1. Size:925K  cn hunteck
 hgb039n12s hgk039n12s hgp039n12s.pdf

HGB039N08A HGB039N08A

,HGB039N12S HGK039N12S P-1HGP039N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.6RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability197 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard

 7.2. Size:973K  cn hunteck
 hgb039n15m hgp039n15m.pdf

HGB039N08A HGB039N08A

, P-1HGB039N15M HGP039N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness206 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificat

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RSQ015N06 | 2SJ287

 

 
Back to Top