HGB045N15S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGB045N15S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGB045N15S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGB045N15S даташит
hgb045n15s hgk045n15s hgp045n15s.pdf
, P-1 HGB045N15S HGK045N15S HGP045N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 4.1 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.1 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 194 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 180 A ID (Package Limited)
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf
, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous
hgb040n06sl hgp040n06sl.pdf
HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)
hgb046ne6a hgp046ne6a.pdf
, P-1 HGB046NE6A HGP046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 108 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
Другие IGBT... HGB041N15S, HGB042N10A, HGP042N10A, HGB042N10S, HGP042N10S, HGB043N15S, HGK043N15S, HGP043N15S, AON7506, HGK045N15S, HGP045N15S, HGB046NE6A, HGP046NE6A, HGB046NE6AL, HGP046NE6AL, HGB047N12S, HGP047N12S
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SVD9Z24NT | JMSL0615AGDQ | STP160N75F3 | AGM1405F | JMH65R430AK | AP10H04DF | NCE4435X
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet











