HGB049N10S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGB049N10S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGB049N10S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGB049N10S даташит
hgb049n10s hgp049n10s.pdf
HGB049N10S HGP049N10S P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.2 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 152 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf
, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous
hgb040n06sl hgp040n06sl.pdf
HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)
hgb046ne6a hgp046ne6a.pdf
, P-1 HGB046NE6A HGP046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 108 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
Другие IGBT... HGK045N15S, HGP045N15S, HGB046NE6A, HGP046NE6A, HGB046NE6AL, HGP046NE6AL, HGB047N12S, HGP047N12S, 5N60, HGP049N10S, HGB050N10A, HGP050N10A, HGB050N14S, HGP050N14S, HGB053N06S, HGP053N06S, HGB053N06SL
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: APG40N10NF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f











