Справочник MOSFET. SP3903

 

SP3903 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP3903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP3903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  samhop
 sp3903.pdf pdf_icon

SP3903

GreenProductSP3903aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.22 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 7.5A32 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless ot

 9.1. Size:111K  samhop
 sp3901.pdf pdf_icon

SP3903

GreenProductSP3901aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 5.8A80 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.2. Size:112K  samhop
 sp3902.pdf pdf_icon

SP3903

GreenProductSP3902aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 10A27 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.3. Size:111K  samhop
 sp3900.pdf pdf_icon

SP3903

GreenProductSP3900aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.42 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 4.5A74 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDS8817NZ , SP4412 , FDS8840NZ , FDS8842NZ , FDS8858CZ , SP4401 , SP3906 , FDS8870 , IRFZ24N , FDS8876 , SP3902 , FDS8878 , SP3901 , FDS8880 , SP3900 , FDS8882 , SP2702 .

 

 
Back to Top

 


 
.