HGP080N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGP080N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP080N10A
HGP080N10A Datasheet (PDF)
hgb080n10a hgp080n10a.pdf

, P-1HGB080N10AHGP080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness84.3 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching
hgb080n10al hgp080n10al.pdf

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.1RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free85 AID (Sillico
hgp080n10s.pdf

HGP080N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness82 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms
hgp080n10sl.pdf

HGP080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие MOSFET... HGB070N12S , HGP070N12S , HGB070N15S , HGK070N15S , HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , IRF9640 , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M , HGP082N10M , HGB088N15S , HGP088N15S , HGB090N06SL , HGP090N06SL .
History: SWP070R08E7T | HGP070N12S | HGK070N15S
History: SWP070R08E7T | HGP070N12S | HGK070N15S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent