HGB105N15SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB105N15SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB105N15SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB105N15SL даташит

 ..1. Size:855K  cn hunteck
 hgb105n15sl hgp105n15sl.pdf pdf_icon

HGB105N15SL

HGB105N15SL HGP105N15SL , P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level TO-263 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 122 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synch

 4.1. Size:979K  cn hunteck
 hgb105n15s hgp105n15s.pdf pdf_icon

HGB105N15SL

, HGB105N15S HGP105N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 104 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS

 5.1. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf pdf_icon

HGB105N15SL

, P-1 HGB105N15M HGK105N15M HGP105N15M 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 8.5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 8.8 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synch

 9.1. Size:813K  cn hunteck
 hgb100n12s hgp100n12s.pdf pdf_icon

HGB105N15SL

, HGB100N12S HGP100N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 8.3 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 8.6 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 109 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGP098N10AL, HGB100N12S, HGP100N12S, HGB105N15M, HGK105N15M, HGP105N15M, HGB105N15S, HGP105N15S, IRLZ44N, HGP105N15SL, HGB110N10SL, HGP110N10SL, HGB110N20S, HGK110N20S, HGP110N20S, HGB115N15S, HGP115N15S