HGP190N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGP190N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0187 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP190N15S
HGP190N15S Datasheet (PDF)
hgb190n15s hgp190n15s.pdf

HGB190N15S HGP190N15S P-1,150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-263 15.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 16RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability80 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication
hgp190n15sl.pdf

HGP190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H
hgp195n15sl.pdf

P-1HGP195N15SL150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness53 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai
hgb195n15s hgp195n15s.pdf

, P-1HGB195N15SHGP195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 16.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие MOSFET... HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , K4145 , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S .
History: SVSP11N70MJD2 | PHP79NQ08LT | HY4504P | NCE01P18L | LSD65R180GT | RFL2N05L | 2SK222
History: SVSP11N70MJD2 | PHP79NQ08LT | HY4504P | NCE01P18L | LSD65R180GT | RFL2N05L | 2SK222



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet