Справочник MOSFET. HGK220N25S

 

HGK220N25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGK220N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0219 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для HGK220N25S

 

 

HGK220N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn hunteck
 hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf

HGK220N25S HGK220N25S

,HGB220N25S HGK220N25S P-1HGP220N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 16.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 15.5RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 16.6RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested93 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package L

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top